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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
5.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
9.0
17.5
写入速度,GB/s
5.7
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1274
3673
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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