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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
40
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
39
读取速度,GB/s
12.3
12.8
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2089
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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