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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
40
左右 -111% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
19
读取速度,GB/s
12.3
20.3
写入速度,GB/s
7.8
16.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3485
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
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