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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3908
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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