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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3371
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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