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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3300
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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