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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
16.2
写入速度,GB/s
7.8
12.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2941
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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