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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
7.8
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3090
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
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