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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.8
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2962
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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