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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 40
    左右 -33% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1806 left arrow 3520

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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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