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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
7.8
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3567
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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