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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kingston XN205T-HYD2 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
7.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
3773
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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