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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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规格
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
7.8
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2892
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
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