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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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规格
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
7.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2776
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Frequency (Mhz) *
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
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