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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2231
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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