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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
73
左右 45% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
73
读取速度,GB/s
12.3
15.8
写入速度,GB/s
7.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1822
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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