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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

总分
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 43
    左右 -139% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.9 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.7 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 20.9
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 16.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 3180

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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内存RAM
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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