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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
11.4
18.0
写入速度,GB/s
7.7
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3490
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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