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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

差异 规格 评论

差异

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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 43
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 2813

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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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内存RAM
Mushkin 996902 2GB
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Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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