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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
11.4
18.3
写入速度,GB/s
7.7
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3247
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Frequency (Mhz) *
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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