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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
11.4
15.7
写入速度,GB/s
7.7
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2971
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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