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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
11.4
18.5
写入速度,GB/s
7.7
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3488
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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