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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
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差异
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
11.4
22.7
写入速度,GB/s
7.7
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
4202
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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