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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
差异
规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
11.4
17.2
写入速度,GB/s
7.7
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3652
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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