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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
11.4
18.6
写入速度,GB/s
7.7
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3519
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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