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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
11.4
19.5
写入速度,GB/s
7.7
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3890
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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