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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
11.4
13.7
写入速度,GB/s
7.7
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2504
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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