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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.3
15.8
写入速度,GB/s
9.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2806
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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