RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
15.3
17.2
写入速度,GB/s
9.8
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3592
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link