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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
38
读取速度,GB/s
15.3
14.8
写入速度,GB/s
9.8
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3094
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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