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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
15.3
16.0
写入速度,GB/s
9.8
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3071
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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