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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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更快的读取速度,GB/s
17.4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
15.3
17.4
写入速度,GB/s
9.8
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3908
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
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