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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
15.3
18.0
写入速度,GB/s
9.8
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3314
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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