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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
15.3
21.5
写入速度,GB/s
9.8
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
4042
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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