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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
15.3
21.5
写入速度,GB/s
9.8
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
4042
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
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