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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
41
读取速度,GB/s
15.3
16.1
写入速度,GB/s
9.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2870
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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