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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
15.3
16.5
写入速度,GB/s
9.8
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3058
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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