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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.3
18.7
写入速度,GB/s
9.8
12.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3153
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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