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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
15.3
18.2
写入速度,GB/s
9.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3061
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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