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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
15.3
15.1
写入速度,GB/s
9.8
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2408
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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