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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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需要考虑的原因
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
15.3
18.4
写入速度,GB/s
9.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3178
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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