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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

总分
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

总分
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB 需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 25
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.3 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    18.1 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    15.3 left arrow 20.3
  • 写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 18.1
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2646 left arrow 4173

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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