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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
15.3
16.7
写入速度,GB/s
9.8
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3254
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
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