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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
81
左右 69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
81
读取速度,GB/s
15.3
13.5
写入速度,GB/s
9.8
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
1523
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
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