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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.3
16.3
写入速度,GB/s
9.8
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2790
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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