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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston 9905711-017.A00G 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
43
读取速度,GB/s
15.3
14.1
写入速度,GB/s
9.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2260
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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