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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
15.3
15.0
写入速度,GB/s
9.8
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2524
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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