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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.9
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
15.3
20.9
写入速度,GB/s
9.8
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3806
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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