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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
58
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
15.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
58
读取速度,GB/s
15.3
18.0
写入速度,GB/s
9.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2025
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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