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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
15.3
11.8
写入速度,GB/s
9.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2844
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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