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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
15.3
18.0
写入速度,GB/s
9.8
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3327
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NJ-CG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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